圖17為汞原子的部分能階$n$（$n=0,1,2,\ldots$）與其能量$E_n$的示意圖，並以最高能量$E_0=0$ eV為參考能量，其中$1\,\mathrm{eV}=1.6\times10^{-19}\,\mathrm J$，是常用能量單位。例如，晶片製程使用的365 nm紫外光（UV），其光子能量為3.4 eV。 晶片先進製程使用的13.5 nm極紫外光（EUV），並採用反射鏡來匯聚與引導，如圖18所示。然而EUV於反射鏡上無法全部被反射，仍會有部分透射與被吸收。圖19（a）為反射鏡面的局部放大圖，示意以重複的薄膜單元（實線框）加強EUV反射效率的機制，圖中的箭號$I_1$代表一束射入表面的光線，箭號$R_1$、$R_2$、$R_3$……依序對應於$I_1$光線從各個薄膜單元界面反射而出的光線。每一個薄膜單元包含兩層，EUV在快速介質（白色層）的波速大於在慢速介質（灰色層）的波速。圖19（a）薄膜單元內的點線僅供示意$R_1$、$R_2$、$R_3$……的反射來源，未能精確代表實際光線的反射折射角度。 已知普朗克常數為$h=6.63\times10^{-34}\,\mathrm{J\cdot s}$，真空中光速為$c=3\times10^8\,\mathrm{m/s}$。依據以上資料與所學，回答下列問題。